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物理论坛第57期——基于原子尺度二维过渡金属硫化物的光、电性能研究

题  目:基于原子尺度二维过渡金属硫化物的光、电性能研究
时  间:12月4日(周二)10:00
地  点:网赌正规网站网址204会议室
报告人:郑玉杰
主持人:乔梁教授
 
摘要:
 
二维过渡金属硫化物(2D-TMDs)是典型的二维半导体材料,其特殊的电子结构结合其较强的本征自旋轨道耦合(spin-orbital coupling)和稳定的谷极化(robust valley polarization)衍生出诸多独特的光电性质,被认为是新一代纳米光电器和量子信息器件的基础。在解析材料的电子结构方面,基于密度泛函理论的第一性原理计算和基于扫描隧道显微镜(STM)的实空间成像是两个非常前沿而且相互补充的工具。本报告将介绍我们结合二者进行的关于单层二硒化钨(SL-WSe2)的点缺陷和SL-WSe2的介电屏蔽效应的研究。首先,通过系统的预测SL-WSe2可能存在的缺陷,并与实验观测的数据相比较,我们发现氧气分子(O2)很容易通过硒空穴(Se vacancies)催化解离吸附形成氧取代(O-passivated Se)和氧间隙(O interstitials)缺陷,并且氧间隙缺陷应该是目前实验室观测到的单光子发射源之一。此外,通过比较分析典型的有机分子PTCDA长在Au(111)、graphite及SL-WSe2/graphite等不同衬底上的电学性质,并采用镜像模型(image charge model)近似描述衬底的交换关联(exchange-correlation)能,我们发现SL-WSe2可以有效地屏蔽其与PTCDA形成的二维范德瓦尔斯异质结。
 
 
报告人简介:
 
郑玉杰,博士,高级研发工程师。1989年出生于四川隆昌,2013年6月于四川大学网赌正规网站网址(物理学基地班)获理学学士学位;之后于新加坡国立大学物理系从事二维材料研究,师从新加坡国家科学院院士(院长)、新加坡国立大学副校长Wee Thye Shen, Andrew教授和Quek Suying NRF助理教授,2017年11月获物理学博士学位。目前受聘于重庆赛宝工业技术研究院(工信部五所西南分所),从事电子材料失效机理研究。近年来在Chem. Soc. Rev., Nat. Common., Nano Lett., ACS Nano等国际知名学术期刊发表论文10余篇。